【2024103615548】一种亚稳相氧化镓膜异质外延生长方法及装置-武清知识产权运营保护服务平台

【2024103615548】一种亚稳相氧化镓膜异质外延生长方法及装置

        转让/许可方名称：天津工业大学
        转让/许可底价（万元）：5
        挂牌截止时间：2026-12-31

开放许可声明编号为：XK2025980022182，本发明属于半导体技术领域，具体涉及一种亚稳相氧化镓膜异质外延生长方法及装置。本发明将镓源溶液雾化为镓源雾滴；采用载气将所述镓源雾滴输送至衬底表面，在衬底表面外延生长得到所述亚稳相氧化镓膜；所述镓源雾滴输送至所述衬底表面的运动方向与衬底表面形成的夹角为5~85°；所述雾化时镓源雾滴由喷雾莲蓬头喷出，所述喷雾莲蓬头的喷雾表面与衬底表面平行，所述喷雾莲蓬头的喷雾表面与衬底表面的距离为0.5~10 mm。本发明提高了衬底表面附近的雾滴密度；且有效提高氧化镓薄膜的生长速度、结晶质量以及表面平整度，以克服现有Mist‑CVD技术生长氧化镓膜生长速度慢、结晶质量差、表面粗糙度高的不足。